技術の進歩により最先端の半導体製造装置や分析装置、加速器では要求される真空度が極高真空（XHV）の領域になってきました。それに伴い、より真空特性の優れた材料が必要となっています。そこで注目されているのがチタン。機械的・電気的・熱的に優れるとともに、材料自体からのガス放出が少ないという特性を持っています。
三愛プラント工業はメカノケミカル研磨（MCP）に比べ低廉で容易な専用化学研磨を山口大学と開発しました。
| 適用材種 | 純チタン |
|---|---|
| 標準研磨しろ | 10 μm |
| 処理可能サイズ | 1000 × 1000 × 700 mm（即応可能サイズ） これ以上のサイズの製品についてはお問い合わせください。 |
純チタン（JIS2種）表面状態の比較
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素地
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バフ研磨面
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サンチタン処理面
単位面積当たりのガス放出速度
（純チタン：JIS2種）
メカノケミカル研磨（MCP）と同等の真空特性を達成。
ベーキングをすることで、ガス放出速度は
〜10-12 Pa・m・s-1まで低減可能です。
オリフィスコンダクタンス：6 × 10-3 m3・s-1
サンチタン/San-titan ®後の
断面TEM像（純チタン：JIS2種）
サンチタン/San-titan®処理後、表面は均一・緻密な酸化被膜が形成されます。これにより溶存気体の放出が抑制されます。
純チタンパイプ内面（外径 40mm）
大強度陽子加速器施設（J-PARK）のベローズや次世代放射光施設試作ライン（cERL）の電子銃チャンバーに採用されました。
詳しくは、三愛プラント実績紹介をご覧ください。
